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A memória Flash IC de SSF integrou 2 Mbit Mbit/4 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS

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A memória Flash IC de SSF integrou 2 Mbit Mbit/4 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Fabricante Part Number: SST29SF040-55-4C-WH
Marca: original
Tipo: circuito integrado
Descrição: IC original Chip Electronic Components
Pacote: Pacotes originais
Tipo da memória: Padrão
Realçar:

Memória Flash IC de SSF

,

Memória Flash IC 2 Mbit

,

ROHS integrado memória Flash

Informação básica
Lugar de origem: Fábrica original
Marca: Silicon Storage Technology, Inc
Certificação: ROHS COMPLIANT
Número do modelo: SST29SF040-55-4C-WH
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão
Tempo de entrega: Dentro de 3days
Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer
Habilidade da fonte: 500
Descrição de produto

SST29SF040-55-4C-WH - TECNOLOGIA DE ARMAZENAMENTO DO SILICONE, INC - 2/4 FLASH DE MBIT MBIT (X8) SMALL-SETOR

 

Detalhe rápido:

 

Flash Mbit/4 do Pequeno-setor de 2 Mbit (x8)

 

 

Descrição:

 

Os SST29SF020/040 e os SST29VF020/040 são o flash do Pequeno-setor de 256K x8/512K x8 CMOS (SSF) fabricado com proprietário de SST, tecnologia de capacidade elevada do CMOS SuperFlash. O injetor do encapsulamento do projeto e do grosso-óxido da pilha da separação-porta alcança a melhor confiança e o manufacturability comparados com as aproximações alternativas.

Os dispositivos SST29SF020/040 escrevem (o programa ou apaga) com uma fonte de alimentação 4.5-5.5V. Os dispositivos SST29VF020/040 escrevem (o programa ou apaga) com uma fonte de alimentação 2.7-3.6V. Estes dispositivos conformam-se às atribuições de pino padrão de JEDEC para as memórias x8.

Caracterizando o Byte-programa do elevado desempenho, os dispositivos SST29SF020/040 e SST29VF020/040 forneça uma estadia máxima do Byte-programa do µsec 20. Para proteger contra inadvertido escreva, têm esquemas da proteção de dados do hardware e do software da em-microplaqueta. Projetados, fabricados, e testados para um espectro largo das aplicações, estes dispositivos são oferecidos com uma resistência garantida pelo menos de 10.000 ciclos. A retenção dos dados é avaliado em maior de 100 anos.

Os dispositivos SST29SF020/040 e SST29VF020/040 são seridos para as aplicações que exigem a atualização conveniente e econômica do programa, da configuração, ou da memória dos dados. Para todas as aplicações de sistema, eles significativamente para melhorar o desempenho e a confiança, ao abaixar o consumo de potência. Usam inerentemente menos energia durante apagam e programam do que tecnologias instantâneas alternativas. A energia total consumida é uma função da tensão aplicada, atual, e da época da aplicação. Desde para toda a escala dada da tensão, a tecnologia de SuperFlash usa menos atual para programar e tem um mais curto apaga o tempo, a energia total consumida durante alguns apaga ou programa a operação é menos do que tecnologias instantâneas alternativas. Elas igualmente para melhorar a flexibilidade ao abaixar o custo para o programa, os dados, e as aplicações do armazenamento da configuração.

A tecnologia de SuperFlash fornece fixado para apagar e programar o independente das épocas do número de ciclos Erase/programa que ocorreram. Consequentemente, o software básico ou o hardware não têm que ser alterado ou de-avaliado como são necessários com tecnologias instantâneas alternativas, cujo os tempos para apagar e de programa aumentam com acumulado os ciclos apagam/programas.

Para encontrar o alto densidade, as exigências da montagem da superfície, os dispositivos SST29SF020/040 e SST29VF020/040 são oferecidos 32 na ligação PLCC e nos 32 pacotes da ligação TSOP.

 

 

Aplicações:

 

• Organizado como 256K x8/512K x8

• Única tensão lida e para escrever operações

– 4.5-5.5V para SST29SF020/040

– 2.7-3.6V para SST29VF020/040

• Confiança superior

– Resistência: 100.000 ciclos (típico)

– Maior de 100 anos de retenção dos dados

• Consumo da baixa potência:

– Corrente ativa: 10 miliampères (típico)

– Corrente à espera:

µA 30 (típico) para SST29SF020/040

1 µA (típico) para SST29VF020/040

• Setor-apague a capacidade

– 128 setores uniformes do byte

• Tempo de acesso lido rápido:

– 55 ns para SST29SF020/040

– 70 ns para SST29VF020/040

• Endereço e dados travados

• Apague rapidamente e Byte-programa:

– Setor-apague o tempo: Senhora 18 (típica)

– Microplaqueta-apague o tempo: Senhora 70 (típica)

– Tempo do Byte-programa: 14 µs (típicos)

– Chip Rewrite Time:

4 segundos (típico) para SST29SF/VF020

8 segundos (típico) para SST29SF/VF040

• Automático escreva o sincronismo

– Geração interna de VPP

• Fim--escreva a detecção

– Bocado de alavanca

– Votação de Data#

• Compatibilidade do I/O de TTL para SST29SF020/040

• Compatibilidade do I/O do CMOS para SST29VF020/040

• Padrão de JEDEC

– EEPROM instantâneo Pinouts e grupos do comando

• Pacotes disponíveis

– 32 ligação PLCC

– 32 ligação TSOP (8mm x 14mm)

• Todos os dispositivos (sem chumbo) do não-Pb são RoHS complacente

 

Especificações:

número da peça. SST29SF040-55-4C-WH
Fabricante Tecnologia de armazenamento do silicone, Inc
capacidade da fonte 10000
datecode 10+
pacote 32pin-PLCC/TSOP
observação estoque novo e original
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