Somente memória lida programável apagável ultravioleta SMJ27C256-15JM

Detalhe rápido:

Memória de leitura apenas programável apagável UV

Descrição:

A série SMJ27C256 é um grupo de 262.144 mordido, memórias de leitura apenas apagáveis, eletricamente programáveis claras ultravioletas. Estes dispositivos são fabricados usando a tecnologia do CMOS da poder-economia para a relação de alta velocidade e simples com MOS e circuitos bipolares. Todas as entradas (que incluem entradas de dados do programa) podem ser conduzidas pela série 54 circuitos de TTL sem o uso dos resistores pullup externos. Cada saída pode conduzir um circuito de TTL da série 54 sem resistores externos. As saídas de dados são o estado 3 para conectar dispositivos múltiplos a um ônibus comum. O SMJ27C256 é pino-compatível com as 28 ROM e EPROM do pino 256K. É oferecido 600mil em uma duplo-em-linha pagackage cerâmico (sufixo de J) avaliado para a operação de -55°C a 125°C.

Porque esta EPROM se opera de uma única fonte 5V (no modo lido), é ideal para o uso em sistemas microprocessador-baseados. Outra uma fonte (13V) é necessário para programar.

Todos os sinais de programação são nível de TTL. Este dispositivo é programável pela PRESSÃO! Algoritmo de programação do pulso.

A PRESSÃO! O algoritmo de programação do pulso usa um VPP de 13V e um VCC de 6.5V por um tempo de programação nominal de quatro segundos. Para programar fora do sistema, os programadores existentes da EPROM podem ser usados. Os lugar podem ser programados unicamente, nos blocos, ou aleatoriamente.

Aplicações:

• 32.768 x 8 organizados

• Única fonte de alimentação de +5V ±10%

• Pin-compatível com as ROM 256K e as EPROM existentes

• Todas as entradas/saídas inteiramente TTL compatível

• tecnologia do CMOS da Poder-economia

• PRESSÃO de alta velocidade mesma! Programação do pulso

• 3 amortecedores de saída do estado

• a C.C. 400-mV assegurou a imunidade de ruído com cargas de TTL do standarad

• Imunidade de Latchup de 250 miliampères em todos os pinos da entrada e da saída

• Dissipação de baixa potência (níveis de entrada do CMOS)

3Ative - pior caso 165mW

3Standby - pior caso 1.7mW (níveis da CMOS-entrada)

Especificações: