Enviar mensagem
Casa /Produtos/Transistor de poder do Mosfet/Única C.C. de alta tensão SIHB22N60E-E3 ROHS do transistor de poder do Mosfet

Única C.C. de alta tensão SIHB22N60E-E3 ROHS do transistor de poder do Mosfet

Quantidade de ordem mínima: 10 PCS
MOQ
negotiate
Preço
Única C.C. de alta tensão SIHB22N60E-E3 ROHS do transistor de poder do Mosfet
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Fabricante Part Number: SIHB22N60E-E3
Marca: original
Tipo: circuito integrado
Lugar de origem: Fabricante original
C.C.: Lastest novo
Prazo de execução: dias 1-3Working
Realçar:

Único transistor de poder do Mosfet

,

Transistor de poder ROHS do Mosfet

,

C.C. de alta tensão do transistor do Mosfet
Informação básica
Lugar de origem: Fábrica original
Marca: VISHAY
Certificação: ROHS
Número do modelo: SIHB22N60E-E3
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão
Tempo de entrega: Dentro de 3days
Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer
Habilidade da fonte: 1000
Descrição de produto

ÚNICO TRANSISTOR de PODER DE ALTA TENSÃO SIHB22N60E do MOSFET - PACOTE D2PAK de E3 600V 21A

 

Tipo do FET: N-canal Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote: TO263-3 D2PAK
Luz alta:

transistor do mosfet do canal de n

,

transistor do canal de n
 

 

 

Único transistor de poder de alta tensão SIHB22N60E do Mosfet - pacote D2PAK de E3 600V 21A

 

MOSFETS DO N-CANAL DE MSL 1 ÚNICOS

Especificações técnicas do produto

Fabricante Vishay Siliconix  
Série -  
Empacotamento Tubo  
Estado da parte Ativo  
Tipo do FET N-canal  
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)  
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V  
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 21A (Tc)  
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V  
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA  
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 86nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±30V  
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1920pF @ 100V  
Característica do FET -  
Dissipação de poder (máxima) 227W (Tc)  
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Montando o tipo Montagem de superfície  
Pacote do dispositivo do fornecedor D2PAK  
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB

 

OPA2107AU/2K5 SI PTH05050WAZ SI
THCV231-3L/CD SI TMS320DM8168CCYG2 SI
THC63LVD1024-1LTN SI PTH08T231WAD SI
TMS320F28035PNT SI TPS65920A2ZCHR SI
INA126PA SI LMH0344SQ/NOPB SI
TPS73533DRBR SI AD5412AREZ-REEL7 SI
TPS54319RTER SI ADS1241E/1K SI
IC12715001 SI TL16C552AFNR SI
THCV235-TB SI PGA204AU/1K SI
THCV236-ZY SI ADS8505IDWR SI
ADS8326IDGKR SI TMS320LF2407APGEA SI
ADS7816U/2K5 SI AM3703CUSD100 SI
DAC7558IRHBR SI TMS320DM8148CCYEA0 SI
ADSP-21489KSWZ-4B SI LMZ23610TZE/NOPB SI
TPS75801KTTR SI TPS2115ADRBR SI
etiqueta:

Transistor de poder do Mosfet

Transistor de poder superior

transistor do mosfet do canal de n

Produtos recomendados
Entre em contato conosco
Pessoa de Contato : Jack
Telefone : +8618098974141
Caracteres restantes(20/3000)
Entrar em contato
2A2003, construção 2, jardim de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, a comunidade de Qinghu, rua de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen
hegaochen35@gmail.com
+8618098974141
sobre
Perfil da Empresa Fábrica Controle de Qualidade Fale Conosco
Produtos
Microplaqueta do circuito integradoMemória Flash ICMotorista conduzido IC Todas as categorias
Envie-nos
Deixe-nos saber sua necessidade. Vamos conectar os melhores produtos com você.
Mapa do Site │ Site para celular │ Política de Privacidade
China bom Qualidade Microplaqueta do circuito integrado fornecedor. © 2023 - 2024 icscircuit.com. All Rights Reserved.