Name: Série integrada do fet da trincheira da microplaqueta SUD50P06-15L-E3 do transistor de poder do Mosfet
Brand: VISHAY
SKU: SUD50P06-15L-E3
Rating: 4.7 (165 reviews)

Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações

Características

Especificações

Número do modelo: SUD50P06-15L-E3

Tipo: circuito integrado

Lugar de origem: Fabricante original

D/C: Newst

Porto: shenzhen ou Hong Kong

Prazo de execução: dias 1-3Working

Realçar:

Transistor de poder integrado do Mosfet

Microplaqueta do transistor de poder do Mosfet

SUD50P06-15L-E3

Informação básica

Lugar de origem: Fábrica original

Marca: VISHAY

Certificação: ROHS

Número do modelo: SUD50P06-15L-E3

Condições de Pagamento e Envio

Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão

Tempo de entrega: Dentro de 3days

Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Habilidade da fonte: 1000

Galeria

Série integrada do fet da trincheira da microplaqueta SUD50P06-15L-E3 do transistor de poder do Mosfet

Descrição de produto

O CIRCUITO INTEGRADO IC DE P-CH LASCA A SÉRIE DO FET DA TRINCHEIRA DE SUD50P06-15L-E3 TO252

Os bens condicionam:	Brandnew	Estado da parte:	Ativo
Sem chumbo/Rohs:	Queixa	Função:	Mosfet
Montando o tipo:	Montagem de superfície	Pacote:	TO-252
Luz alta:	transistor do mosfet do canal de n , transistor do canal de n

Série do MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFET da microplaqueta de IC do circuito integrado SUD50P06-15L-E3

P-canal 60 V (D-S), MOSFET de 175 °C

CARACTERÍSTICAS
1, MOSFET do poder de TrenchFET®
2, temperatura de junção de 175 °C
3, complacente a RoHS 2002/95/EC diretivo

Fabricante	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Empacotamento	Fita & carretel (TR)
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	P-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	50A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	165nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4950pF @ 25V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	3W (Ta), 136W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	15 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-252, (D-Pak)
Pacote/caso	TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

Lista de outros componentes eletrônicos no estoque
NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND	NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND
9LPRS133BKLFT	IDT	ISL62882HRTZ-T	INTERSIL
1ZB18	TOSHIBA	S1D13513B00B200	EPSON
W2F15C1038AT1A	AVX	MABACT0071	MA/COM
UP7719ASU8	MICRO	CRG05 (TE85L, Q)	TOSHIBA
MSN3010-472	COILCRAFT	PCI2050IPDV	SI
HA2-5033/883	HARRIS	MP4013	TOSHIBA
SLQ2592	UDMHGT	LT1017CS8	LINEAR
PACDN010QS	CMD	FBMH2012HM121-T	TAIYO
APL431AAC-TRG	ANPEC	MSP3415G-B8-V3	MICRONAS
ADM4850ARZ	DDA	LTC5505-2ES5#TRPBF	LT
23Z104SMNLT	PULSO	LPR550ALTR	ST
TMX320DM8148CCYE2	SI	TLE4269GL	SIEMENS
TJA1050	PHLIPH	PS8710BTQFN24GTR2-A1	PARADA
LM2674MX-ADJ	NSC	CXD3117AR	SONY
BCM56340AOKFSBG	BRADCOM	ADS1000A0QDBVRQ1	SI
TPS79901DRVT	SI	TC74VHC273FT	TOSHIBA
TC358723XBG	TOSHIBA	MCM20027IBBL	MOTOROLA
STI5202DUD	ST	SC2677TSTR	SEMTECH
ST16C552CJ	EXAR	RT9181CB	RICHTEK
VIPER53-DIP-E	ST	DS2482S-100+T$R	MÁXIMA

etiqueta:

Pessoa de Contato :	Jack
Telefone :	+8618098974141

Série integrada do fet da trincheira da microplaqueta SUD50P06-15L-E3 do transistor de poder do Mosfet

Transistor de poder integrado do Mosfet

Microplaqueta do transistor de poder do Mosfet

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