montagem de superfície IRF640NSTRLPBF do transistor do Mosfet do canal de 200v N

Montagem D2PAK da superfície 150W do transistor 200V 18A do Mosfet do N-canal de IRF640NSTRLPBF (Tc) (Tc)

? Tecnologia de processamento avançada?

Avaliação dinâmica de dv/dt? temperatura de funcionamento 175°C?

Interruptor rápido? Inteiramente avalancha avaliada?

Facilidade da paralelização?

Exigências simples da movimentação

Descrição

Os MOSFETs do poder da quinta geração HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações. O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria. O D2Pak é um pacote de superfície do poder da montagem capaz da acomodação a morrer tamanhos até HEX-4. Fornece a capacidade do poder o mais alto e o mais baixo onresistance possível em todo o pacote de superfície existente da montagem. O D2Pak é apropriado para aplicações atuais altas devido a sua baixa resistência interna da conexão e pode dissipar-se até 2.0W em uma aplicação de superfície típica da montagem. A versão do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicação lowprofile.

Fabricante	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Empacotamento	Fita & carretel (TR)
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	18A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	1160pF @ 25V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	150W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	D2PAK
Pacote/caso	TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB