Name: canal IRFB38N20DPBF 3.8W 300W do transistor de poder SMPS do Mosfet de 43A 200v n
Brand: IOR
SKU: IRFB38N20DPBF
Rating: 4.7 (113 reviews)

Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações

Características

Especificações

Fabricante Part Number: IRFB38N20DPBF

Tipo: circuito integrado

Lugar de origem: Fabricante original

Marca: Original brand

C.C.: Lastest novo

Prazo de execução: dias 1-3working

Realçar:

transistor de poder do mosfet 200V

Transistor de poder SMPS do Mosfet

IRFB38N20DPBF

Informação básica

Lugar de origem: Fábrica original

Marca: IOR

Certificação: ROHS

Número do modelo: IRFB38N20DPBF

Condições de Pagamento e Envio

Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão

Tempo de entrega: Dentro de 3days

Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Habilidade da fonte: 1000

Galeria

canal IRFB38N20DPBF 3.8W 300W do transistor de poder SMPS do Mosfet de 43A 200v n

Descrição de produto

MOSFET do CANAL SMPS do TRANSISTOR de PODER IRFB38N20DPBF do MOSFET de 200V 43A 3.8W 300W n

Tipo do FET:

N-canal

Drene à tensão da fonte:

200V

Atual - dreno contínuo:

43A

Tensão da movimentação:

10V

Luz alta:

transistor do mosfet do poder superior

transistor do mosfet do canal de n

N-canal 200V 43A 3.8W 300W de IRFB38N20DPBF através do MOSFET do furo TO-220AB SMPS

Aplicações

l conversores de alta frequência de DC-DC

l TO-220 está disponível em PbF como sem chumbo

Benefícios

l baixa carga do Porta-à-dreno para reduzir-se comutar perdas

l caracterizou inteiramente a capacidade que inclui COSS eficaz para simplificar o projeto, (SeeApp. Nota AN1001)

l caracterizou inteiramente a tensão e a corrente de avalancha

Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	43A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	2900pF @ 25V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C

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TLP732F	TOSHIBA	S-1206B15-U3T1G	SEIKO
MC14069U	EM	MC74AC86DR2	EM
HG61H25B02P	RENESAS	MB605612UC-G	FUJITSU
TS31023-QFNR	SEMTECH	CAP002DG-TL	PODER
TLE2425CPSR	SI	BFP182E7764	INFINEON
TMS320C6701GJCA120	SI	TPS40077PWPR	SI
SIS620	SIS	TMS320C346BA006PZ-T	SI
PIC16LF819-I/ML	MICROCHIP	MX25L12845EZNI-10G	MXIC

etiqueta:

Pessoa de Contato :	Jack
Telefone :	+8618098974141

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