Name: Canal IRFP4227PBF do transistor de poder N do Mosfet da C.C. IRFP4227 a -247AC
Brand: Canal IRFP4227PBF do transistor de poder N do Mosfet da C.C. IRFP4227 a -247AC
SKU: IRFP4227PBF
Rating: 4.5 (108 reviews)

Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações

Características

Especificações

Fabricante Part Number: IRFP4227PBF

Tipo: circuito integrado

Lugar de origem: Fabricante original

Descrição: Novo em original

C.C.: Lastest novo

Prazo de execução: dias 1-3working

Realçar:

Transistor de poder do Mosfet da C.C.

Canal do transistor de poder N do Mosfet

IRFP4227PBF

Informação básica

Lugar de origem: Fábrica original

Certificação: Standard Certification

Número do modelo: IRFP4227PBF

Condições de Pagamento e Envio

Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão

Tempo de entrega: Dentro de 3days

Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Habilidade da fonte: 1000

Galeria

Canal IRFP4227PBF do transistor de poder N do Mosfet da C.C. IRFP4227 a -247AC

Descrição de produto

TRANSISTOR DE PODER DO MOSFET DO CANAL DE IRFP4227 N A -247AC IRFP4227PBF

Os bens condicionam:	Brandnew	Estado da parte:	Ativo
Sem chumbo/Rohs:	Queixa	Função:	Mosfet
Montando o tipo:	Através do furo	Pacote:	TO247
Luz alta:	transistor do mosfet do canal de n , transistor do canal de n

TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF do MOSFET do CANAL de IRFP4227 200V 65A N

Características?
Tecnologia de processamento avançada?
Os parâmetros chaves aperfeiçoados para PDP sustentam, recuperação de energia e aplicações do interruptor da passagem?
A baixa avaliação de EPULSE para reduzir a dissipação de poder em PDP sustenta, recuperação de energia e interruptor da passagem

Aplicações?
Baixo QG para a resposta rápida?
Capacidade repetitiva alta da corrente de pico para a operação segura?
Queda curto & tempos de elevação para o interruptor rápido? temperatura de junção 175°C de funcionamento para a aspereza melhorada?
Capacidade repetitiva da avalancha para o vigor e a confiança

Fabricante	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Empacotamento	Tubo
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	65A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	98nC @ 10V
Vgs (máximo)	±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4600pF @ 25V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	330W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	25 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-247AC
Pacote/caso	TO-247-3

Lista de outros componentes eletrônicos no estoque
NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND	NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND
AP4800CGM	APEC	NT68F63L	NT
ADT75ARMZ-REEL7	DDA	LPC47B373	SMSC
UPD720101GJ-UEN-A	NEC	ECHU1C471JX5	PANASONIC
TLV3501AIDBVT	SI	BQ21040DBVR	SI
ZXSC400E6TA	ZETEX	BB148
MAX758ACPA	MÁXIMA	TL3472QDRQ1	SI
IMP803LG/T	TRAVESSO	KB3926QFA1	ENE
HCPL-0601-060E	AVAGO	IDT72261LA20PF	IDT
CS1615-FSZ	CIRRUSLOGIC	CL703S1T	CORE LOGIC
DRV604PWPR	SI	293D476X9020D2T	VISHAY
VT6212LG	ATRAVÉS DE	TB62747AFNAG	TOSHIBA
CS5330A-KS	CIRRO	STP1612PW05MTR	ST
TDA18253HN		LF353P	SI
MCR706AT4	EM	LBEH5DU1BW-777	MURATA
BAT54S	ONSEMI	Q2015LT	LITTLEFUSE
MIC2005-0.8LYM5	MICREL	HM628512LFP-5	BATA
CY7C1354B-200BGC	CYPRESS	G546B1P81U	GMT
SI7450DP-T1	VISHAY	1N4148W	DIODOS
M62320FP#CF5J	RENESAS/P	VT1612A	ATRAVÉS DE
K9260M	EPCOS	SCT2026CSSG	SCT

etiqueta:

Pessoa de Contato :	Jack
Telefone :	+8618098974141

Canal IRFP4227PBF do transistor de poder N do Mosfet da C.C. IRFP4227 a -247AC

Transistor de poder do Mosfet da C.C.

Canal do transistor de poder N do Mosfet

IRFP4227PBF

transistor do mosfet do canal de n

transistor do canal de n

Transistor de poder do Mosfet

Transistor de poder superior

transistor do mosfet do canal de n

transistor de poder TO-247-3 do Mosfet de 600v 16a IRFPC60PBF através do furo

150mhz - transistor M68702h do Mosfet do poder de 175mhz RF para o rádio móvel de Fm

Canal IRFP4227PBF do transistor de poder N do Mosfet da C.C. IRFP4227 a -247AC

transistor do Mosfet do poder superior de 1200v 50a/tiristor CLA50E1200HB

Complemento PBSS4160T do transistor de poder PNP do Mosfet de NPN baixo Vcesat

Três transistor positivo terminal do Mosfet dos reguladores de tensão 5V KIA7805AF

Série integrada do fet da trincheira da microplaqueta SUD50P06-15L-E3 do transistor de poder do Mosfet

montagem de superfície IRF640NSTRLPBF do transistor do Mosfet do canal de 200v N