Name: transistor de poder TO-247-3 do Mosfet de 600v 16a IRFPC60PBF através do furo
Brand: IR
SKU: IRFPC60PBF
Rating: 4.8 (146 reviews)

Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações

Características

Especificações

Fabricante Part Number: IRFPC60PBF

Marca: original

Tipo: circuito integrado

Lugar de origem: Fabricante original

C.C.: Lastest novo

Prazo de execução: dias 1-3Working

Realçar:

transistor de poder do Mosfet 600v

transistor de poder do Mosfet 16a

IRFPC60PBF

Informação básica

Lugar de origem: Fábrica original

Marca: IR

Certificação: Standard Certification

Número do modelo: IRFPC60PBF

Condições de Pagamento e Envio

Detalhes da embalagem: Empacotamento padrão

Tempo de entrega: Dentro de 3days

Termos de pagamento: T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Habilidade da fonte: 1000

Galeria

transistor de poder TO-247-3 do Mosfet de 600v 16a IRFPC60PBF através do furo

Descrição de produto

TRANSISTOR de PODER 600V do MOSFET de IRFPC60PBF 16A ATRAVÉS do FURO TO-247-3

Os bens condicionam:	Brandnew	Estado da parte:	Ativo
Sem chumbo/Rohs:	Queixa	Função:	MOSFET
Montando o tipo:	Através do furo	Pacote:	TO247
Luz alta:	transistor do mosfet do poder superior , transistor do canal de n

N-canal 600V 16A do TRANSISTOR do MOSFET de IRFPC60PBF (Tc) 280W (Tc) através do furo TO-247-3

CARACTERÍSTICAS
• Avaliação dinâmica de dV/dt
• Avalancha repetitiva avaliada
• Furo de montagem central isolado
• Interruptor rápido
• Facilidade da paralelização
• Exigências simples da movimentação
• Ligação (Pb) - disponível livre

DESCRIÇÃO
Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade. O pacote TO-247 é preferido para níveis de poder mais alto comercial-industriais das aplicações onde impossibilitar o uso dos dispositivos TO-220. O TO-247 é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado devido a seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece a maior distância de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.

Fabricante	Vishay Siliconix
Série	-
Empacotamento	Tubo
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	16A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	3900pF @ 25V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	280W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	400 mOhm @ 9.6A, 10V
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-247-3
Pacote/caso	TO-247-3

Lista de outros componentes eletrônicos no estoque
NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND	NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND
19409-002	ONSEMI	MAX6351LSUT-T	MÁXIMA
R1211N002B-TR-F	RICOH	KA78M15	FAIRCHILD
LP61256GS-12	ELITEMT	CY24745OXC	CYPRESS
KSD880YTU	FAIRCHILD	AT91SAM7SE512-CU	ATMEL/ADESTO
IDT5T93GL-061PFI	IDT	MINISMDC150F/12-2	TYCO
S2202A	SYNAPTICS	EXC28CH900U	PANASONIC
NM-SM50+	MINI	ECT315	ECT
MAX1482CPD	MÁXIMA	293D106X9016C2TE3	VISHAY
WRM0204C-47RFI	NA	VK05CFLTR-E	ST
TC74HCT245AF	TOSHIBA	DS12C887+	DALLAS
LH28F160BJE-BTL90	AFIADO	BA15218F	ROHM
DS75150M	NS	24C02C-I/SN	MIC
BCT3661BELT-TR	BROADCHIP	1812CS-102XJLC	TYCO
TS5A3167DCKR	SI	TLC320AC02CFNR	SI
SSM3K05FU	TOSHIBA	ATMEGA32L-8AC	ATMEL/ADESTO
PIC16LC773/SS	MICROCHIP	AD807A-155BRRL7	DDA
AME8815BEC330	AME	TK6A60W, S4VX	TOSHIBA
TA8041FG	TOSHIBA	BGS14AN16 E6327	INFINEO
MAX233AEWP	MÁXIMA	NTE0305MC	MURATA
ADUC848BCPZ62-5	DDA	ME6209A36PG	MICRONE

etiqueta:

Pessoa de Contato :	Jack
Telefone :	+8618098974141

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